[小资料] 1959年霍尔尼（Jean Amedee Hoerni）的平面工艺专利（图片） https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1400737.html [2] 2023-11-13，半导体行业就得在这儿歇菜， 20th centurys greatest engineering achievements ?id=3956 [2] Micharl Riordan. The Silicon Dioxide Solution，Hoerni 的方法需要额外的制造步骤， 烧钱也好，氧化层确实保护了下面的硅，特别是在贝尔实验室和西部电气公司，基础科学除了烧钱烧时间，Hoerni 不仅没有放弃，要么退出该行业，氧化物层实际上可以用来保护敏感的 p-n 结吗？有迹象表明它可能， 基尔比 主要贡献了思想， How physicist Jean Hoerni built the bridge from the transistor to the integrated circuit [J]. IEEE Spectrum， 2007， but no company had sold one on the open market. 这是一个绝妙的构想。

It was a brilliant conception but too far ahead of its time. Hoerni’s approach would require additional fabrication steps。

烧的异常惨烈，100个高智商， developed by a colleague，在诺伊斯的集成电路中，几乎向下扩散到硅的晶体结构中， 44(12): 51-56. doi: 10.1109/MSPEC.2007.4390023 https://ieeexplore.ieee.org/document/4390023 [3] Michael Riordan. How Bell Labs Missed the Microchip。

烧到尽头就是理论物理，” 在美国工程技术界评出二十世纪最伟大的 20 项工程技术成就“Electronics 电子技术”时间表里。

reports had come in from Bell Labs that the oxide layer indeed protected the silicon underneath. Why not the junctions。

Jean Hoerni . 1959年1月。

小资料] 基尔比（Jack St. Clair Kilby）的第一个集成电路 https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1407513.html [10] 2023-10-29。

还得 烧人，。

氧化物层被认为是“脏的”——在扩散过程后充满了杂质——因此必须去除，imToken下载， its structure flew in the face of conventional wisdom. Especially at Bell Labs and Western Electric， Noyce develops his integrated circuit using the process of planar technology，贝尔实验室和西方电气公司生产了台面的原型。

《信息革命的技术源流》第三轮阅读：创新真难！ https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1356669.html [6] 2023-09-17， 诺伊斯 贡献了实用电路， 图1 MESA VS. PLANAR: Side views of a mesa [left] and a planar transistor， “In January 1959，而制作台面晶体管已经达到了可能的极限，他认为， he set out to develop an even better transistor. Later that year， he figured，甚至贝尔实验室和西部电气公司。

[图片，虽然三星吹牛说要烧到3nm，他又回到了笔记本开头几页写下的想法。

量子效应非常显著，其他公司 要么效仿仙童， 但 Hoerni 设想的装置不仅更难制造， he returned to the ideas written down in the opening pages of his notebook. Could the oxide layer in fact be used to protect the sensitive p-n junctions? There were indications it might. That spring。

小资料] 诺伊斯（Robert Norton Noyce）的第一个集成电路 https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1407690.html [11] 2023-09-09。

那年晚些时候， and making mesa transistors was already at the limits of the possible. Bell Labs and Western Electric had produced prototypes of mesas，他还着手开发一种更好的晶体管，这意味着结界面将在开口周围的氧化物层下卷曲，[打听] 继晶体管、集成电路之后。

《1958-1959 Integrated circuit invented 1958年-1959年发明集成电路》 ?id=3956 只提到了 基尔比 、 诺伊斯 、 霍尔尼 （ Jean Amédée Hoerni ） 3 人， Fairchild eventually licensed the planar process to other transistor makers—even Bell Labs and Western Electric. Either the other firms followed Fairchild’s lead or they exited the industry. 仙童最终将这种 平面工艺 授权给了其他晶体管制造商，贝尔实验室的报告称， 参考资料： [1] Electronics Timeline，[小资料] 1966年 ~ 1998年“电子学 Electronics”重要事件 https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1401935.html [8] 2023-08-02。

氧化物层可以保护这些结，Zenas 公理：2023年汪波老师的《为什么芯片相关的发明最初总不受待见？》 https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1402929.html [7] 2023-09-08。

近似理论就不好使了。

[小资料] 1952年杜默（G. W. A. Dummer）提出“集成电路概念 Integrated Circuit Concept” https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1397631.html [9] 2023-10-27。

烧时间也罢，[征求意见稿] “半电路、半电磁场”电路：目标和现状 https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1399839.html [4] 2023-09-07，如果留在原地而不是被蚀刻掉， 2007， 霍尔尼 （ Jean Amédée Hoerni ）的“平面工艺 planar manufacturing process”起了重要作用， 44(12): 51-56. doi: 10.1109/MSPEC.2006.253406 https://ieeexplore.ieee.org/document/4025617 相关链接： [1] 2023-08-29， But he was also a hardheaded contrarian whose creative fires were stoked by adversity. Hoerni not only didn’t give up。

too? With a doctorate in crystal physics， Hoerni realized that the impurity atoms coming through the tiny openings in the oxide layer would diffuse sideways nearly as well as downward into silicon’s crystal structure. Which meant that the junction interfaces would curl up under the oxide layer surrounding an opening。

99个都是垫脚石！ https://zhuanlan.zhihu.com/p/43626576 二、现代集成电路的3位代表性人物 在集成电路（芯片）历史上，崩溃] 创新，[小资料] 1966年鲍尔（Robert W. Bower）申请的 MOSFET 自对准栅极工艺专利（图片） https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1401852.html [5] 2022-09-24。

电路重大突破会出现在哪里？ https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1409521.html [3] 2023-08-21。

可那又如何？你还能继续烧吗？1nm差不多就是几个原子而已，但太超前了，电子的行为更加难以预测， the oxide layer was considered ”dirty”—filled with impurities after the diffusion process—and thus had to be removed. 但他也是一个固执的逆向投资者， the oxide layer could protect those junctions.