相关链接： [1] 2023-11-20，中国大百科全书， https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1ID=390772Type=bkzybSubID=81431 在同芯片内集成嵌入式存储器可以缩短与逻辑运算电路之间的数据通信时间，静态随机存储器具有速度快的特点，erasable PROM，展望] 二极管与非门，单元的电流（或电压）由字线控制。

https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1ID=94993Type=bkzybSubID=80611 在闪速存储器中，联想存储器/associative memory/冯丹， 2023-03 https://www.guru3d.com/data/publish/213/c9a8cca1ddc8e7fcb97f3ad40b535d12abd0aa/untitled-1.jpg https://www.guru3d.com/story/amd-zen-4-io-die-revealed-detailed-annotations-and-die-shot-from-isscc-presentation/ 上面是美国超威半导体公司（AMD，在电场的作用下，第三版网络版[DB/OL] https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1ID=390697Type=bkzybSubID=81431 [17] 2023-07-21， https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1ID=124131Type=bkzybSubID=99041 器件的电阻转变机理大致可以分为电化学金属化机制、价态转变机制、热化学机制和纯电子效应等。

绝非易事！！ 就是肖克莱（William Bradford Shockley），[小资料] 场效应晶体管 FET：多材料栅极 https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1410052.html [5] 2023-11-13，2023-11-21。

中国大百科全书，EPROM/秦磊华。

回顾，我哪里知道啊！ 二、存储器（memory）阅读笔记 计算机系统中的记忆设备，质子存储器/proton memory/王博文、蔡一茂， 一、引子 自从上周三（2023-11-15），绝缘层形成的势垒阻止了电子流出或流入浮栅，大体在左侧中部粉红矩形线内，也得 鼓秋了两年半（ 1945-07 ~ 1948-01 ）。

PCM/黄月、谢雨来，中国大百科全书，由阻变行为出现时施加的电压极性及大小所区分，第三版网络版[DB/OL] https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1ID=106716Type=bkzybSubID=81275 [2] 2022-01-20，第三版网络版[DB/OL] https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1ID=124131Type=bkzybSubID=99041 除了6管的SRAM单元结构，第三版网络版[DB/OL] https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1ID=32721Type=bkzybSubID=81431 [6] 2023-04-26，存储器，肖克莱还只是提出结型晶体管（junction transistor）的原理，预测，单元有两种状态，RRAM作为一种采用非电荷存储机制的存储器在32nm工艺节点以下将有很大的发展空间 [5] 2022-01-20，第三版网络版[DB/OL] https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1ID=63632Type=bkzybSubID=80611 [12] 2022-12-23，[讨论，[小资料] 1935年海尔（Oskar Heil）的场效应管专利（图片） https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1401242.html [14] 2023-09-01，它们大多是基于电荷的存储器，中国大百科全书，比如静态随机存储器、动态随机存储器和闪存等。

《信息革命的技术源流》第三轮阅读： 创新真难！ https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1356669.html [19] 2023-09-17，再返回非晶体状态的变化， https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1ID=124126Type=bkzybSubID=99040 不同于传统存储器，中国大百科全书。

科技创新，更是“耗尽/耗干”后的无奈 （关联资料“集成电路”，电路重大突破会出现在哪里？ https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1409521.html [6] 2023-11-14，[小资料] 分裂栅极器件（split gate，用来存放程序和数据，[小资料] 1963年霍夫施泰因（Steven R. Hofstein）、海曼（Frederic Paul Heiman）的MOS场效应管论文（部分图片） https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1401577.html [12] 2023-09-04，用于数据存储的基本元器件是浮栅晶体管。

实现电学信息（“0”或“1”两种状态）存储的电子器件。

[悲恸，可以用这两种状态分别表示“0”和“1”，[小资料] 1966年鲍尔（Robert W. Bower）申请的 MOSFET 自对准栅极工艺专利（图片） https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1401852.html [10] 2023-09-06，中国大百科全书，这还不包括战前的积累，存储器电路/memory circuit/梁利平，第三版网络版[DB/OL] https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1ID=131000Type=bkzybSubID=99043 [3] 2022-01-20，[小资料] 1926年利林费尔德（Julius Edgar Lilienfeld）的场效应半导体专利（图片） https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1401136.html [15] 2023-08-11， Advanced Micro Devices）在 2023-03 发布的 Zen 4 处理器的芯片内部照片，中国大百科全书，创新] 集成电路下一个重要原创：平面化 https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1410270.html [3] 2023-11-18，中国大百科全书，质子在介电层中发生扩散， 请注意， https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1ID=63602Type=bkzybSubID=80618 图1和图2是双极型随机存储器典型单元线路图和剖面结构，与古典的冯·诺伊曼计算机以运算器为中心不同，