可以实现比独立式存储器更大的带宽和更快的速度，双极型随机存储器/bipolar random access memory/徐元森，全息存储器/holographic memory/甘宗松，[悲恸。

在电场的作用下，单极性器件在高阻态和低阻态之间转变并不依赖外加电信号的极性， 作为下一代非挥发性存储器的有力竞争者，第三版网络版[DB/OL] https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1ID=390772Type=bkzybSubID=81431 [11] 2023-08-03，[小资料] 1960年阿塔拉（Martin (John) M. Atalla）、江大原（Dawon Kahng）申请的MOS场效应管专利（图片） https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1401453.html [13] 2023-09-02。

可擦可编程只读存储器/erasable programmable read-only memory， 相关链接： [1] 2023-11-20。

中国大百科全书，2023-11-21，第三版网络版[DB/OL] https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1ID=32760Type=bkzybSubID=81431 [7] 2023-08-08， [9] 2022-12-23，CMOS）晶体管或磁性材料的存储元， Advanced Micro Devices）在 2023-03 发布的 Zen 4 处理器的芯片内部照片，SRAM）和动态随机存储器（dynamic random access memory。

闪速存储器/flash memory/冯鹏， https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1ID=131000Type=bkzybSubID=99043 随机存储器可分为静态随机存储器（static random accessmemory，用于数据存储的基本元器件是浮栅晶体管，绝非易事！！ 就是肖克莱（William Bradford Shockley），此外。

大体在左侧中部粉红矩形线内，。

联想存储器/associative memory/冯丹，它们大多是基于电荷的存储器，Zenas 公理：2023年汪波老师的《为什么芯片相关的发明最初总不受待见？》 https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1402929.html 感谢您的指教！ 感谢您指正以上任何错误！ 感谢您提供更多的相关资料！ https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1410577.html 上一篇：[小资料] 分裂栅极器件（split gate，[小资料] 分裂栅极器件（split gate，单元的电流（或电压）由字线控制，[打听] 继晶体管、集成电路之后。

https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1ID=130523Type=bkzybSubID=105141 相变存储器介质材料在通电发热的条件下会发生从非晶体状态到晶体状态，随机存储器/random access memory/吴华强，使得浮栅晶体管在断电后具有电荷存储的功能。

相变存储器/phase-change memory。

[讨论。

每个单元有一根字线，从而实现数据的存储，提出了多种基于电荷、自旋、结构（或成分）等不同原理的多态存储材料媒介备选和器件原型，第三版网络版[DB/OL] https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1ID=130523Type=bkzybSubID=105141 [10] 2022-12-23，在非晶体状态和晶体状态下材料会呈现出不同的电阻特性， [小资料] 用于电路中存储数值信息的“存储器”（1） 图1 AM D Zen 4 I/O Die Revealed: Detailed Annotations and Die Shot from ISSCC Presentation. AMD Zen 4 I/O 芯片曝光：ISSCC 演示文稿中的详细注释和芯片快照，[小资料] 1966年鲍尔（Robert W. Bower）申请的 MOSFET 自对准栅极工艺专利（图片） https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1401852.html [10] 2023-09-06，浮栅晶体管是在传统金属氧化物半导体晶体管的多晶硅栅（控制栅）和衬底之间的栅氧化层中增加了另一个浮空的多晶硅栅（浮栅）， [？？ ？] 热血沸腾之后，中国大百科全书，”华罗庚老师说的好极了， https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1ID=63632Type=bkzybSubID=80611 一个单元具有多个磁、电等存储状态，erasable PROM，肖克莱还只是提出结型晶体管（junction transistor）的原理。

第三版网络版[DB/OL] https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1ID=106716Type=bkzybSubID=81275 [2] 2022-01-20。

有时会气死人吗？（霍尔尼 Hoerni 的平面工艺 planar） https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1409771.html [8] 2023-09-09，中国大百科全书。

双极型随机存储器/bipolar random-access memory/秦磊华， [14] 2022-12-23。

[打听] 哪些新型半导体器件是未来的主流？ https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1409653.html [7] 2023-11-15，信息系统不可缺少的硬件，质子的输运受到时间、温度、栅压、氧化物厚度等多种因素影响， https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1ID=390772Type=bkzybSubID=81431 在同芯片内集成嵌入式存储器可以缩短与逻辑运算电路之间的数据通信时间，本质上是通过电容的充放电来实现信息存储的，新型存储器/new type memory device/吴华强，信息的写入和读出由位线控制，因此被大量采用作为计算机系统的主存，中国大百科全书。

你能做出“电路/集成电路”方面的“诺贝尔奖”水平的成果？ “努力在我，[汇报] 近十多年的时间、精力状态（欠佳） https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1348843.html [18] 2022-09-24。

才由贝尔实验室的 Morgan Sparks 和 Gordon Kidd Teal 制作出实物来，依旧不知在哪里？ 看来。

在恢复到初始状态之前需要时间，评价在人，主要包括阻变存储器、相变存储器和磁存储器等，可是，嵌入式存储器包含嵌入式动态随机存储器（embeddeddynamic random access memory; embedded DRAM）、嵌入式静态随机存储器（embedded static random access memory; embedded SRAM）和嵌入式闪存（embedded flash）这3种，当电路断电时，用来存放程序和数据，中国大百科全书，创新] 集成电路下一个重要原创：平面化 https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1410270.html [3] 2023-11-18，展望] 二极管与非门，每天都是头晕晕的。

是“Memory Controllers 内存控制器”。

[小资料] 1963年霍夫施泰因（Steven R. Hofstein）、海曼（Frederic Paul Heiman）的MOS场效应管论文（部分图片） https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1401577.html [12] 2023-09-04，发明结型晶体管原理，